领泰半导体一级代理商/现货商-深圳市芯美力科技有限公司

领泰半导体 LT2002EFOB 共漏双N沟道MOSFET

参数：

VDS= 20V,

ID= 40.4A

RDS(ON)@V GS= 4.5V, TYP 4.8mΩ

RDS(ON)@V GS= 4.0V, TYP 4.9mΩ

RDS(ON)@V GS= 3.8V, TYP 5.0mΩ

RDS(ON)@V GS= 3.1V, TYP 5.3mΩ

RDS(ON)@V GS= 2.5V, TYP 6.0mΩ

应用：电池保护 、负载开关

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