聚焦离子束技术的崛起

近年来，FIB技术凭借其独特的优势，结合扫描电镜（SEM）等高倍数电子显微镜的实时观察功能，迅速成为纳米级分析与制造的主流方法。它在半导体集成电路的修改、切割以及故障分析等关键环节中发挥着至关重要的作用，为电子器件的微型化、高性能化提供了有力的技术支撑。

FIB - SEM双束系统的协同工作原理

当样品表面垂直于离子束时，离子束可以高效地进行切割或微加工；而电子束则可以实时观察加工过程，为操作人员提供直观的视觉反馈，确保加工的精确性和可控性。
在常见的双束FIB - SEM系统中，电子束垂直于样品台，离子束与样品台呈一定的夹角。在实际工作时，将样品台旋转至特定角度（如52度），离子束与样品台达到垂直状态，便于进行高精度的加工操作；与此同时，电子束与样品台形成一定的角度，能够清晰地观测到截面内部的结构细节。

FIB技术的关键特征

1.高束流与快速加工能力
FIB技术的最高束流可以达到100nA，能够实现快速切割和纳米加工。
2.超高分辨率与精细加工优势
其最高分辨率小于3nm，可以实现极其精细的加工，并且能够展现出优异的FIB成像质量。
3.宽电压范围与精细抛光功能
FIB技术的电压范围可在500V - 30kV之间灵活调节。特别是在精细抛光方面，通过合理调节电压，可以有效降低样品表面非晶层的厚度，从而获得更加光滑、纯净的表面。
4.稳定的离子源与长寿命优势
FIB技术所采用的离子源具有极高的稳定性，其使用寿命长，行业内最长离子源寿命可达1500小时（3000uAh），并且在72小时内束流变化能够控制在5%以内，确保了FIB设备在长时间运行过程中始终保持稳定的加工效果，减少了设备维护和更换离子源的频率，降低了使用成本，提高了设备的可用性和经济性。
5.与SEM的完美配合
在FIB加工过程中，可以充分利用SEM进行实时观察。这种协同工作模式使得操作人员能够在加工的同时，直观地观察到加工区域的微观结构变化，及时调整加工参数，确保加工过程的精确性和可靠性。这种实时反馈机制极大地提高了纳米加工的可控性和成功率，为复杂纳米结构的制造提供了有力保障。

FIB - SEM技术的多样化

应用案例

1.微纳结构加工
FIB系统在微纳结构加工方面展现出了强大的能力。它无需依赖传统的掩膜版，可以直接刻蚀出所需的图形，或者在GIS系统下沉积出所需的功能性结构。利用FIB系统，已经成功制备出了多种微纳米尺度的复杂结构，包括纳米量子电子器件、亚波长光学结构、表面等离激元器件、光子晶体结构等。
通过巧妙的设计和加工方法，不仅可以实现二维平面图形结构的制造，甚至能够制备出复杂的三维结构图形。
2.截面分析
FIB技术在截面分析方面同样具有独特的优势。利用其溅射刻蚀功能，可以定点切割试样并观测横截面，从而精确地表征截面的形貌和尺寸。
此外，FIB系统还可以与元素分析（EDS）等技术相结合，进一步分析截面的成分分布。这一功能在芯片、LED等领域的失效分析中得到了广泛应用。
例如，在普通IC芯片的加工过程中，如果出现缺陷，采用FIB技术可以迅速定点地分析缺陷产生的原因，进而改进工艺流程。FIB系统已经成为当代集成电路工艺线中不可或缺的重要设备，为芯片制造的质量控制和工艺优化提供了有力的技术支持。
3.TEM样品制备
透射电子显微镜（TEM）样品的制备是纳米材料研究中的一个重要环节，而FIB技术在这一领域也发挥着关键作用。
TEM样品制备主要分为非提取法和提取法两种方式。非提取法是在经过预减薄的样品上，通过对感兴趣区域进行定点FIB加工，制取电子透明的观测区。
而采用提取法提取TEM样品时，最终的减薄工艺流程对能否获得优质的TEM照片至关重要。在实际操作中，如果将抽取的试样整体变薄，容易产生试样弯曲等问题。为了避免这一问题，可以采用H型或者X型减薄方法，增强试样的自支撑性，从而获得高质量的TEM样品。通过FIB技术制备的TEM样品，能够为研究人员提供清晰、准确的微观结构信息，有助于深入理解材料的性能和特性。
4.三维原子探针样品制备
三维原子探针样品的制备要求与TEM薄片样品较为接近，制备方法也具有一定的相似性。通过这一系列精细的加工步骤，可以制备出高质量的三维原子探针样品，为深入研究材料的原子结构和成分分布提供了有力的工具。
聚焦离子束技术以其卓越的性能和广泛的应用前景，在纳米加工领域展现出了巨大的潜力和价值。随着纳米科技的不断发展，FIB技术必将在更多的领域发挥重要作用，为推动科技的进步和社会的发展做出更大的贡献。