一. 1MHZ 以内,以差模干扰为主。(整改建议)
二 . 1MHZ-5MHZ,差模共模混合,采用输入端并联一系列 X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决(整改建议)
- 增大X 电容量;
- 添加差模电感;
- 小功率电源可采用 PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
三 . 5M 以上,以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法(整改建议)
- 对于差模干扰超标可调整 X 电容量,添加差模电感器,调差模电感量;
- 对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;
- 也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如 FR107 一对普通整流二极管1N4007。
- 对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用; 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环。处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
五. 30-50MHZ,普遍是MOS 管高速开通关断引起。(整改建议)
- 对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置;
- 调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值;
- 在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。
- 改变PCB LAYOUT;
- 输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;
- 在输出整流管两端并联RC 滤波器且调整合理的参数;
- 在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE;
- 在变压器的输入电压脚加一个小电容。
- 可以用增大MOS 驱动电阻。
200MHZ 以上,开关电源已基本辐射量很小,一般均可过EMI 标准。
- 可以用增大MOS 驱动电阻;
- RCD 缓冲电路采用1N4007 慢管;
- VCC 供电电压用1N4007 慢管来解决;
- 或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;
- 在 MOSFET 的D-S 脚并联一个小吸收电路;
- 在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE;
- 在变压器的输入电压脚加一个小电容;
- PCB 心LAYOUT 时大电解电容,变压器,MOS 构成的电路环尽可能的小;
- 变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
- 50-100MHZ,普遍是输出整流管反向恢复电流引起。
- 可以在整流管上串磁珠;
12.调整输出整流管的吸收电路参数;
- 可改变一二次侧跨接Y 电容支路的阻抗,如PIN 脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻;
- 也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点);
- 增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。
补充说明:
开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述。开关电源是高频产品,PCB 的元器件布局对EMI 有直接关系,MOS 漏极铜箔走线环路尽可能短粗,开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响,主开关管、主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对 EMC 有一定的影响,以上请密切注意!
整理:柏自飞
来源:百度文库