P沟道增强型MOSFET TDM3205
一般描述一般特征
该TDM3205采用先进的沟槽技术◆RDS（ON）<9.9mΩ@ VGS = -1.8V
提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 ◆RDS（ON）<6.8mΩ@ VGS =-2.5V
这个装置是适合用作负载开关或在PWM◆RDS（ON）<4.5mΩ@ VGS =-4.5V
应用。◆RDS（ON）<3.5mΩ@ VGS =-10V
◆高功率和电流处理能力
◆表面贴装封装
◆可提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准）