来看看MOS管的开关等效电路（以N沟道增强型MOS管为例）
下面我们来看看CMOS反相器的构造：
CMOS反相器主要是由上方的P沟道增强型MOS管和下方的N沟道增强型MOS管构成
对于P沟道MOS管而言，当g极和s极的电压为低电平时，该管视为导通
对于N沟道MOS管而言，当g极和s极的电压为高电平时，该管视为导通
那么下面我们来分析一下这个结构到底怎么就能够被称为反相器了：
首先，v1为输入，v0为输出，当v1为低电平时，下方的增强型N沟道MOS管截止（我们视MOS管截止的等效电阻ROFF非常大，上方的MOS管导通（我们视MOS管的导通电阻RON
<< ROFF），因此，v0 的电压就等于下方MOS管截止电阻的电压：
v0=ROFF/（ROFF+RON）*VDD≈VDD
即在输入电压为低电平时，输出电压为高电平
如果反过来，输入电压v1为高电平，那么上方MOS管截止，下方MOS管(N)导通，那么v0的电压即为：
v0=RON/（RON+ROFF）*VDD≈0
即在输入电压为高电平时，输出电压为低电平
1.1 CMOS反相器电压传输特性和电流传输特性
AB段：输入为低电平，即vI< uGS(th)N ，T2截止，T1导通，输出为高电平；
BC段：vGS(th)N<vI<VDD−uGS(th)P，T1,T2同时导通，且当vI=1/2VDD 时，vo=1/2VDD；
CD段：输入为高电平，T2导通，T1截止，输出为低电平。
1.2 输入端噪声容限
输出为高电平时的噪声容限为：
VNH=VOH(min)−VIH(min)
输出为低电平时的噪声容限为：
VNL=VOL(max)−VIL(max)
1.3 CMOS反相器静态输入特性和输出特性在应用反相器时要加上保护电路：
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