owen1245

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高压H桥PWM马达驱动中替代国外IRF830B场效应管参数的型号!

2020-10-19 21:22:37 显示全部楼层
适用于高压H桥PWM马达驱动的1.5欧导通电阻的场效应管型号,在国内的电子产品厂家仍然是需要强化自己的国内供应链下,能够完美替代国外的型号:IRF830B场效应管参数。

为何说FHF830是可以直接跟IRF830B等型号对标替代使用呢?揭秘参数前先了解,电机驱动主要采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路,H 桥是一个典型的直流电机控制电路,由于它的电路外形酷似字母 H,故得名曰“H 桥”。

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4个开关组成H的4条垂直腿,而电机就是H中的横杠。要使电机运转,必需使对角线上的一对开关导通,经过不同的电流方向来控制电机正反转。

目前这款N沟道增强型高压功率MOS场效应管:FHF830,它在使用性能参数方面不仅能匹配型号为IRF830B的国外场效应管,也是能够代用5N50型号的场效应管。目前广泛使用的场景是高压H桥PWM马达驱动、DC-DC电源转换器、DC-AC电源转换器、150W逆变器后级电路四款产品中。

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FHP830场效应管的特点是5A, 500V, RDS(on) = 1.5Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快,低内阻。

FHP830的主要封装形式是TO-220/TO-220F/TO-251/TO-252,脚位排列位GDS。这款场效应管参数:Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):4.5;BVdss(V):500。

因为以上的参数特点,所以这一款型号就不仅能够匹配IRF830B场效应管型号在高压H桥PWM马达驱动中使用,也能匹配5N50这一款型号参数。

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