本文主要介绍一下WLCSP封装的大致流程：(一般分为Bumping，CP test，WLCSP三个阶段)
Bumping阶段
1. Customer Wafer
这是第一道工序，主要是将从晶圆厂收到的wafer经过Pre-Clean + SRD预处理，然后使用O2 Plasma等离子清洗并烘干，目的是去除来料wafer表面的杂质.
2. PI coating
PI是一层聚合物薄膜层，可以加强芯片的passivation，起到应力缓冲的作用。做法是将预处理后的wafer置于设备吸盘上，wafer正面朝上，在wafer正面喷涂高度光敏感性的光刻胶，设备吸盘高速旋转，使光刻胶均匀喷涂在整个wafer表面。
3.PI Expose
PI曝光是在喷涂光刻胶的wafer与光源(紫外光)中间放入掩膜版(mask)，再用紫外光透过掩模照射在硅片表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。光刻胶有正性光刻胶和负性光刻胶两种。正性光刻胶是掩膜版遮挡的区域进行曝光，而负性光刻胶是对掩膜版未遮挡的区域进行曝光
4.PI Develop
PI显影。与PI Coating原理类似，在wafer正面喷涂显影液，显影液与之前曝光区域形成化学反应后，会将曝光区域显影出来，即形成后续工艺中UBM层所需的一层开口区域。
5.PI CURE
对已显影的wafer进行烘烤，目的是蒸发掉剩余的溶剂使光刻胶变硬，提高光刻胶对硅片表面的粘附性
6.Sputter Ti
溅射Ti层。Ti层是组成UBM(under ball metal)的第一层。UBM层一般有两层组成(有些厂家做三层)，第一层为Ti,第二层为Cu。Ti具有高强度，耐腐蚀性等特点，能与AL PAD和Passivation连接良好，所以Ti层能为UBM层提供高强度的支撑。Sputter 原理是在真空环境下，电极两端加上高压产生直流光辉放电，使加入腔体内的工艺气体(如Plasma)进行电离，电离后的正离子在电压的作用下高速轰击靶材，靶材逸出的原子和分子向wafer表面沉积形成薄膜层，即Ti层.
7.Sputter Cu
溅射UBM的第二层Cu. 此处的Cu一般只有1um左右，只是为了形成一个钝化层面，为后续电镀Cu提供坚实的基础。SputterCu的原理与Sputter Ti类似。
8. PR Coating
PR胶是一种负性光刻胶，是一种间接材料，与PI时的正性光刻胶作用相反。它的作用是为了在后续工艺中将不需要电镀Cu的地方覆盖，这样在电镀Cu时，只在PR胶未覆盖的地方”长”Cu，即UBM开口区域
9.PR曝光
PR胶曝光同PI曝光原理类似，为了形成UBM开口区域，需通过曝光和显影工序将UBM开口区域多余的化学层去除
10.PR显影
PR胶显影与PI显影原理类似，在PR曝光区域，利用显影液将曝光区域去除，只留出UBM开口区域
11.Plating Cu
电镀Cu层，将刚溅射的Cu电镀到一定厚度，不仅为置球提供良好的支撑，也为锡球与wafer内部电路层提供良好的导电连接。此时PR胶覆盖区域就不会”长”Cu，而未覆盖区域”长”出所需要的Cu层。
12.刻蚀(PR, Cu , Ti )
利用化学品分别刻蚀掉UBM开口四周多余的PR层，Cu层，Ti层。至此，一个完整的UBM开口区域就形成了。
13.Ball Mount
置球。UBM开口形成后，就需要将球置于UBM开口上。将带有UBM开口的wafer置于钢网(Stencil)下面，UBM开口与钢网开口一一对齐，然后在钢网上刷上一层助焊剂Flux，最后用刮刀将锡球从钢网开口”落”在UBM开口区域
14.Reflow
回流焊。将置好球的wafer放入回流炉中，锡球在助焊剂flux和高温(大约260°)的作用下慢慢”长大”，并完美的填充UBM开口区域，与wafer形成良好的连接。锡球的作用是建立wafer内部电路与外部电路的”桥梁”。至此，整个Bumping工艺完全结束。
CP test阶段
晶圆测试。将完成回流焊的wafer进行测试，目的是将在bumping工艺中的不良筛选出来，提高后续封装的良率，监测整个bumping工艺的质量
WLCSP阶段
1. Backside Grind
在wafer正面(球面)贴上一层蓝膜，保护锡球，然后在Wafer背面用磨轮磨至wafer指定厚度
2. Wafer Backside Coating
在wafer背面刷一层背胶。目的是为了增强wafer的硬度，避免容易造成chipping。然后在一定温度下进行烘烤。(这一步选做，可做可不做)
3. Marking(丝印)
在wafer背面按照产品要求打上Marking，包括公司Logo，生产日期，产品批次等相关信息。
4.Wafer Saw
Wafer切割。将打好丝印的wafer切割成一粒一粒的芯片。在切割之前，需在wafer背面贴上蓝膜，目的是为切割后的单颗芯片提供保护，不会散落。
5.Tape & Reel
先由顶针将切割后的芯片从蓝膜上一颗一颗顶起，然后由吸嘴吸起来，放在编带中进行卷带，最后包装出货。
以上步骤是整个流程的大致步骤，忽略了一些检验，ball shear之类的动作。简单分享一下，也欢迎大神指点!!!
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