东莞市惠海半导体

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30V耐压MOS低内阻MOS管 DFN3*3 N沟道 SGT工艺 惠海半导体 性能好

MOS管.png
型号:HC3400M
参数:30V 5.8A
类型:N沟道场效应管
内阻27mR(Vgs=10V)
低结电容635pF
封装:SOT23-3
低开启电压0.7V
广泛用于:电脑主板、蓝牙音响、电子烟、大电流RGB灯带调光、LED车灯、手机无线充、逆变系统。

【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等
惠海半导体专业从事30-150V中低压MOS管的设计、研发、生产与销售,性价比高,量产稳定成熟,提供方案及技术支持。惠海半导体MOS管采用SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。

100V大电流系列:2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N10、25N0、30N10、35N10、40N10、50N10
SOT23-3封装、SOT223封装、SOP8封装、TO-252封装、DFN封装
60V大电流系列:5N06、10N06、20N06、25N06、30N06、35N06、40N06、50N06、60N06、70N06
30V大电流系列:3400、3404、2301、2300、9926、30N03、20N03、50N03、70N03、100N03、110N03
MOS图1.jpg MOS图2.jpg

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惠海半导体-庞工

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