本帖最后由 赵客缦胡缨 于 2021-6-7 18:31 编辑

通常讲MOSFET的沟道形成是由栅极和衬底的垂直电场作用的。从背栅效应来看，衬底加正向电压时，阈值电压降低，器件更容易打开。我很疑惑的是，当正向衬底偏压和栅极电压相同时，衬底和栅极是等电位，这个时候就没有垂直电场作用了，沟道还如何形成？例如FDSOI器件在FBB模式下，当Vgs等于Vbs，栅极和衬底等电位，这个时候还会有垂直电场吗，沟道如何形成。