感谢ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001评估板，有幸参与评估板的测试。拿到评估板的第一感觉就是扎实，评估板四层PCB的板子厚度达到了30mm；高压区域也有明显的标识。
随箱附赠了四颗SiC MOSFET，分别是TO247-3封装的SCT3040KL和TO247-4封装的SCT3040KR，器件都是1200V、55A的管子，驱动电压可以达到22V和-4V，推荐驱动电压是18V和0V，这个相比于现有的需要负压关断的SiC而言，可以简化电源结构，好评。
下面测试一下，Dual/DP-CLK模式的信号输入。在使用Dual/DP-CLK模式下，需要通过H(L)S_ALOW和IN_H(L)_CLK共同控制，在手册中的描述为：
所以，这里可以使用两种控制模式，一是ALOW直接默认下拉，IN_H_CLK输入高电平，HS导通，相当于正逻辑控制；另一种是ALOW接到”H”电平，IN_H_CLK在低电平时HS导通，此时IN_H_CLK相当于反逻辑控制。
下图是ALOW下拉，IN_H(L)_CLK输入驱动信号后的输出驱动电压。其中Ch1：Vgs_LS，Ch2：Vgs_HS，Ch3：IN_L_CLK，Ch4：IN_H_CLK。
看了一下信号延迟，在直接用IN_H(L)_CLK输入驱动信号下，传输延迟时间在400ns左右。
下面是才采用反逻辑的驱动测试，这也是手册推荐在做双脉冲采用的控制方式。Ch1：Vgs_LS，Ch3：IN_L_CLK。开通和关断过程的传输延迟有所增加，达到近1μs的时间。
在实际测试的时候发现，如果采用这种ALOW和IN_H(L)_CLK的驱动逻辑，会存在上下桥臂直通的现象。包括IN_H_CLK和IN_L_CLK的输入信号一致、IN_H_CLK和IN_L_CLK存在信号重叠部分时，都会导致半桥桥臂直通的现象。
针对上面的问题，查看了一下驱动信号的逻辑控制电路，发现在产生给后级驱动芯片BM6101FV-CE2的INA引脚的INA_HS和INS_LS的信号是经过多次与非运算得到的，其信号逻辑是INA_HS=IN_H_CLK•IN_L_CLK和INA_LS=IN_L_CLK•IN_H_CLK，所以在输入信号完全一致相同时，会导致INA引脚信号直接的拉低，因此Dual/DP-CLK模式只适合单器件工作控制。
因为时间较为仓促，只进行了先相关驱动电路的测试，后续也将针对ROHM的SiC MOSFET器件性能和评估板的运行保护功能做更为详尽的测试。非常感谢ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001评估板，为后续应用SiC MOSFET器件进行产品设计，提供参考和设计经验，让我们对SiC MOSFET器件的性能有了更为直观的体验。
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