SiC MOSFET由于开关速度快，在大电流大电压工作条件下，开关瞬态会产生非常高的电流变化率di/dt和电压变化率dv/dt，因此其对功率回路的寄生参数非常敏感，容易产生严重的高频振荡。了解这种高频振荡产生的机理，才能更好地设计和应用这种宽禁带半导体器件。通过研究发现，SiC MOSFET的振荡分别发生在开通瞬态的电流上升阶段和电压下降阶段、以及关断瞬态的电压上升阶段和电流下降阶段这四处。
总结
从上述分析可知，无论是电流还是电压，开关瞬态的高频振荡都与寄生参数密切相关，这就需要在实际应用场景中正确选择驱动栅极电阻和外加电容来减小电压电流变化率，或者添加适当的RC阻尼电路等，减小高频振荡的影响。
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