文章概述
本文将为大家介绍基于思睿达主推CR3215A 输出 5V0.3A 参考设计。其中,CR3215A 是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管,极小的LEB时间可以实现 AC264V输入,5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻,同时IC具有多重保护功能。本设计满足 AC100V-240V 输入需求,采用 EE10 设计。
01、原理图、样机



CR3215A
CR3215A集成非隔离式电源控制器,高雪崩能力功率 MOSFET,以及高压启动 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出:输出电压可通过FB电阻调整,并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB短路保护,FB 开路保护,输出过压保护,输出短路保护,磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
主要特点
● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
● 内置高压启动和自供电电路
● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
● 多模式输出(输出电压大于3.3V,可通过FB电阻调整或固定输出12V)
● 输出功率可编程
● 改善EMI的频率抖动技术
● 优异的负载调整率和工作效率
● 全面的保护功能:过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB短路保护,CS悬空保护,输出过压保护,磁饱和保护等
基本应用
● 非隔离辅助电源
● 小家电
● 智能家居
● LED
引脚分布

引脚描述

典型应用

输出电压可调应用方案

固定输出12V应用方案
02、BOM LIST

03、效率测试

04、线性、负载调整率

05、过流点测试

06、工作波形

264V 启动波形
I_L3&V_D3

I_L3&V_D3
230VAC Io=0.3A
应用注意事项:
1、内置MOS开通时电流回路面积、内置MOS关闭时电感续流回路面积尽量最小,同时回路远离FB反馈回路减小对FB干扰。
2、电感设计余量足够,在最高输入电压时启动,电感不可出现饱和现象。
3、该电路可以工作在DCM和CCM模式,若条件允许,电感尽量设计在DCM模式下,此模式下可优化IC温升和整机效率。
关于思睿达微电子
