肖特基二极管在电子应用中非常常见，肖特基二极管少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复是相对小的。
二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间，大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR，这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分，分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管，反向恢复时间随着速度的提高而降低。快恢复二极管的tRR为几百纳秒，而超高速快恢复二极管的tRR为几十纳秒。低功耗应用中，替代快恢复二极管的一种选择是肖特基二极管，这种二极管的恢复时间几乎可以忽略，反向恢复电压VF也只有快恢复二极管的一半(0.4V至1V)，但肖特基二极管的额定电压和电流远远低于快恢复二极管，无法用于高压或大功率应用。另外，肖特基二极管与硅二极管相比具有较高的反向漏电流，但这些因素并不限制它在许多电源中的应用。
MDD快恢复二极管的恢复时间是 250－500ns
MDD超快恢复二极管的恢复时间是 75－250ns
MDD肖特基二极管的恢复时间是 10ns左右
而且他们的正向导通电压也有所不同，肖特基<快恢复<超快恢复二极管
肖特基二极管规格书下载：
SS82C THRU SS820C SMC 210617.pdf
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