(1)驱动电压脉冲的上升率和降落率由于充沛大。MDDMOSIGBT 开通时， 前沿峻峭的栅极电压加到栅极 G 与发射极 E 之间，使其快速开通，到达开通时间最短，以减小开通损耗。在MDDMOS IGBT 关断的时分，其栅极驱动电路要提供应MDDMOS IGBT 降落沿很陡的关断电压，并给MDDMOSIGBT 的栅极 G 与发射极 E 之间施加恰当的反向偏置电压，以使MDDMOS IGBT 快速关断，缩短关断时间，减小关断损耗。
(2)IGBT 导通后，栅极驱动电路提供应MDDMOS IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使 MDDMOSIGBT 的功率输出总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证 MDDMOSIGBT 不退出饱和区而损坏。
（3) MDDMOSIGBT 的栅极驱动电路提供应 MDDMOSIGBT 的正驱动电压要取适宜的值，特别是在有短路工作过程的设备中运用 MDDMOSIGBT 时，其正向驱动电压更应选择所需求的最小值。开关应用的 MDDMOSIGBT 的栅极电压应以10V～15V 为最佳。
(4)MDDMOSIGBT 的关断过程中，栅-射极间施加的负偏压有利于 MDDMOSIGBT 的快速关断，但也不宜取的过大，普通取-2V 到 -10V。
(5)在大电感负载的状况下，过快的开关反而是有害的，大电感负载在MDDMOS IGBT 的快速开通和关断时，会产生高频且幅值很高而宽度很窄的尖峰电压 Ldi/dt，该尖峰不易吸收，容易形成器件损坏。
(5)在大电感负载的状况下，过快的开关反而是有害的，大电感负载在MDDMOS IGBT 的快速开通和关断时，会产生高频且幅值很高而宽度很窄的尖峰电压 Ldi/dt，该尖峰不易吸收，容易形成器件损坏。
(6)由于 MDDMOSIGBT 多用于高压场所，所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严厉隔离，普通采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。
MOS DG10R08G规格书下载：
MDDG10R08G PDFN5-6 .pdf
(2.15 MB, 下载次数: 0)
MDDG10R08G PDFN5-6 .pdf
(2.15 MB, 下载次数: 0)
全部回复 0
暂无评论，快来抢沙发吧
/3 
