根据MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的导通速度，这个方法对不对？
有没有相近的NMOS推荐！VDS≥60V，ID≥15A，导通内阻≤20mΩ，VGS≤10V，导通速度≤20ns，也就是≥50M，封装TO252，需要数量10pcs，研发验证阶段，用在医疗器械治产品。预计用量10K/月。张生，13691842170（加微信备注好不要打电话，谢谢）
选择更高要求的MOS是为了满足信号传输的要求的同时提高效率，降低温升
楼主
MOS的参数选择以及导通速度的计算
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根据MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的导通速度，这个方法对不对？
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选择更高要求的MOS是为了满足信号传输的要求的同时提高效率，降低温升
根据MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的导通速度，这个方法对不对？
有没有相近的NMOS推荐！VDS≥60V，ID≥15A，导通内阻≤20mΩ，VGS≤10V，导通速度≤20ns，也就是≥50M，封装TO252，需要数量10pcs，研发验证阶段，用在医疗器械治产品。预计用量10K/月。张生，13691842170（加微信备注好不要打电话，谢谢）
选择更高要求的MOS是为了满足信号传输的要求的同时提高效率，降低温升
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深蓝电子
发表于2023-6-5 10:20:04
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沙发
可以用开关参数来估算，td(on) 导通延时 tr 上升时间 td(off) 关断延时 tf 下降时间 ，总边沿延时为：td(on)+tr+td(off)+tf= 4.2+3.4+16+2=25.6ns ,按延时时间占信号周期的 10%估算 ，最高频率=1/(10*25.6)=3.9M, 用于1.7M应该是可以的，最终结果还要实验验证。
他的点评
按延时时间占信号周期的 10%估算 ，最高频率=1/(10*25.6)=3.9M------还要算上10%
发表于 2023-6-7 17:50
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发表于2023-6-7 17:50:19
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地板
深蓝电子 发表于 2023-6-5 10:20
可以用开关参数来估算，td(on) 导通延时 tr 上升时间 td(off) 关断延时 tf 下降时间 ，总边沿 ...
按延时时间占信号周期的 10%估算 ，最高频率=1/(10*25.6)=3.9M------还要算上10%
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