SLM2015是一种高电压、高速电源MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高侧和低侧参考输出通道。专有HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固的单片建设逻辑输入与兼容标准CMOS或LSTL输出，低至3.3 V思维方式输出驱动器具有高脉冲电流为最小驱动器交叉设计的缓冲级传导。浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT高侧配置，工作电压高达160V。
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特性
 为引导程序设计的浮动通道活动
 完全工作至+160 V
 耐受负瞬态电压，dV/dt有免疫力
 栅极驱动电源范围从10 V到18 V
 欠压锁定
 3.3 V、5 V逻辑兼容
 防交叉导通逻辑
 两个信道的匹配传播延迟
 内部设定死区时间
 高侧/低侧输出与HIN/LIN同相输入
 符合RoHS
 SOP8包

SLM2015典型线路图 二.png
应用范围
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