SLM27526系列设备是双通道的,高速低侧栅极驱动器,可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。
使用固有的最大限度减少射击的设计电流,SLM27526可以将高峰值电流脉冲来源和吸收到提供轨对轨的电容性负载中驱动能力和极小的传播延迟,通常为18ns。
SLM27526提供4.5A电源和5.5A汇点12V VDD电源下的峰值驱动电流能力。
特征
两个独立的栅极驱动通道
4.5 A峰值源电流和5.5 A峰值吸收电流驱动能力
快速传播延迟(典型值为18ns)
快速上升和下降时间(典型为7 ns和6 ns)
4.5至20V单电源范围
欠电压锁定
TTL和CMOS兼容的输入逻辑阈值
能够处理输入端的负电压(-5V)
2个通道之间的典型延迟匹配为2ns
两个输出并联以获得更高的驱动电流
当输入浮动时,输出保持在低位
工作温度范围为-40°C至140°C
DFN3x3-8封装
应用
开关模式电源
直流-直流转换器
电机控制,太阳能
用于新兴宽带隙功率的栅极驱动器GaN等器件