场效应管MOSFET与BJT的不同之处在于BJT需要向基极引脚施加电流,以便于集电极和发射极引脚之间流动。另一方面,场效应管MOSFET只需要栅极引脚上的电压来允许电流在漏极和源极引脚之间流动。场效应管MOSFET在实际设计中具有非常高的栅极阻抗,这就决定了MOSFET的一个特点,非常擅长降低电路的运行所需要的功率。
先来简单介绍一下什么是场效应管MOSFET?
场效应管(MOSFET)是一种常见的电子器件,用于控制电流流动的开关或放大器。场效应管MOSFET 是具有源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子的四端子器件。通常,场效应管MOSFET的主体与源极端子相连,从而形成三端器件,例如场效应晶体管。场效应管MOSFET 通常被认为是一种晶体管,并用于模拟和数字电路。
MOSFET的工作原理如下:
当栅极电压低于阈值电压时,MOSFET处于关闭状态,漏极-源极电流几乎为零。
当栅极电压高于阈值电压时,MOSFET处于开启状态,漏极-源极电流可以通过。
通过改变栅极电压,可以控制漏极-源极电流的大小,从而实现对MOSFET的控制。
MOSFET具有以下特点:
高输入阻抗:MOSFET的输入阻抗很高,使其适用于各种信号源。
低输出阻抗:MOSFET的输出阻抗很低,可以提供较大的输出电流。
快速开关速度:MOSFET具有快速的开关速度,适用于高频应用。
低功耗:MOSFET在开启状态时,几乎没有功耗。
MOSFET在电子领域有广泛的应用,包括功率放大器、开关电路、模拟电路、数字电路等。
关于场效应晶体管N沟道MOSFET 2SK3569(STA4,X,S) 概述:
类型:N沟道 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss):600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A
栅源极阈值电压:4V @ 1mA
漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc)
产品特性:
1. 低漏源导通电阻:RDS(导通)=0.54Ω (典型值)
2.高正向传输导纳:|Yfs|=8.5 S(典型值)
3.低漏电流:IDSS=100μA(最大值)(VDS=600 V)
4.增强模式:Vth=2.0至4.0 V(VDS=10 V,ID=1 mA)
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