静电放电（ESD）测试与防护
静电放电（ESD）是一种常见的电子设备故障原因，尤其是在电子元器件和集成电路系统中。它是由静电积累和突然释放引起的，可能对电子设备造成严重的损害。为了评估和提高电子产品的抗静电能力，国际上已经制定了相关的测试标准，如《IEC61000-4-2》。ESD的产生可以分三种模式：
1. 人体放电模式（HBM）：人体通过摩擦或其他方式积累静电，当人体接触电子元件时，静电通过元件的管脚放电。HBM模型中，人体等效电阻为1.5kΩ，等效电容为100pF。其电流波形的峰值一般在1.2A-1.48A，电流上升时间在2-10ns，持续时间在130ns-170ns之间。
2. 机器放电模式（MM）：模拟带电导体在电子元件上产生静电放电。机器（如机械手臂）积累静电，当机器接触IC时，静电通过IC的PIN脚放电。MM模式的等效电阻为0Ω，等效电容为200pF，放电过程较短，电流较大，对元器件的破坏性更大。
3. 元件充电模式（CDM）：电子元件在生产运输过程中积累静电，当元件的管脚接近或触碰到导体或人体时，元件内部的静电会瞬间放电。CDM模式的放电时间极短，电流峰值更高，对器件的破坏性更大。
ESD敏感元器件的静电敏感度等级
HBM：根据JS-001标准，共分为九个等级。
MM：根据JEDEC标准，共分为三个等级。
CDM：根据JS-002标准，共分为五个等级。
ESD静电放电测试
技术参数：
- 最大输出电压：20.00kV / 30.00kV
- 放电间隔：0.050s～30.0s
- 放电次数：1～9999
- 输出极性：正 / 负
- 放电模式：接触放电 / 空气放电
- 放电方式：手动 / 自动
- 放电网络：150pF/330Ω（IEC）
放电模式：
1. 接触放电：放电电极的尖端与DUT接触，发生放电。
2. 空气放电：放电电极充电到试验电压，然后接近DUT，通过电弧放电。
ESD的常识
1. NMOS与PMOS的ESD特性：NMOS器件在ESD击穿时产生的是电子，迁移率大，容易使Bulk/Source正向导通，而PMOS器件的耐ESD特性通常更好。
2.Trigger电压与Hold电压：Trigger电压是寄生BJT的击穿电压，介于BVCEO与BVCBO之间。Hold电压是维持持续ON状态但不进入栅锁状态的电压。二次击穿电流是指进入Latch-up状态后，I^2*R热量骤增导致硅融化的电流。可以通过控制W/L比，增加限流高阻或拉大Drain的距离/拉大SAB的距离来限制二次击穿电流。
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