芯片简介

SS6200 是一款经过优化的单相 MOSFET 栅极驱动器，可驱动高侧和低侧功率MOSFET的栅极。

集成的自举二极管减少了外部元件数量。具有较宽的工作电压范围，可以优化高侧或低侧 MOSFET 栅极驱动电压以获得最佳效率。内部自适应无重叠电路通过防止两个 MOSFET 同时导通进一步降低开关损耗。

当 VCC 低于指定阈值电压时，UVLO 电路可防止故障发生。

芯片特点

· 驱动2个 N-MOSFETs

· 高频工作(高达1MHz)

· 可以 3.3V 和 5V 的PWM输入

· 输出上升时间快

· 内部自举二极管

· 自适应穿透保护

· 欠压锁定

· 内部热关断

· 小尺寸封装：SOP8, DFN2x2-8L

· 这些都是 Pb-Free Devices

芯片简介

SS6200 是一款经过优化的单相 MOSFET 栅极驱动器，可驱动高侧和低侧功率MOSFET的栅极。

集成的自举二极管减少了外部元件数量。具有较宽的工作电压范围，可以优化高侧或低侧 MOSFET 栅极驱动电压以获得最佳效率。内部自适应无重叠电路通过防止两个 MOSFET 同时导通进一步降低开关损耗。

当 VCC 低于指定阈值电压时，UVLO 电路可防止故障发生。

芯片特点

· 驱动2个 N-MOSFETs

· 高频工作(高达1MHz)

· 可以 3.3V 和 5V 的PWM输入

· 输出上升时间快

· 内部自举二极管

· 自适应穿透保护

· 欠压锁定

· 内部热关断

· 小尺寸封装：SOP8, DFN2x2-8L

· 这些都是 Pb-Free Devices

描述SS6200 是一款经过优化的单相 MOSFET 栅极驱动器，可驱动高侧和低侧功率 MOSFET 的栅极。集成的自举二极管减少了外部元件数量。具有较宽的工作电压范围，可以优化高侧或低侧 MOSFET 栅极驱动电压以获得最佳效率。内部自适应无重叠电路通过防止两个 MOSFET 同时导通进一步降低开关损耗。当 VCC 低于指定阈值电压时，UVLO 电路可防止故障发生。 应用程序 适用于 5W 至 20W 系统的无线充电器 半桥或全桥驱动 N+N MOSFET

特性 驱动 2 个 N-MOSFETs 高频工作(高达 1MHz)  可以 3.3V 和 5V 的PWM输入 输出上升时间快 内部自举二极管 自适应穿透保护 欠压锁定 内部热关断 小尺寸封装：SOP8, DFN2x2-8L 这些都是 Pb-Free Devices

…………………………………………………………………………………

率能半导体代理，支持终端工厂，为客户提供样品以及相关技术咨询

如需更多系列型号，欢迎联系咨询。

东莞市瀚海芯智能科技有限公司  马先生：17318031970 微信同步