下面我们从器件对触发信号波形的要求、开关频率、单双极、主要优、缺点方面考虑，七种可控开关器件BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT、SIT。
BJT：
电流型全控器件；
正持续基极电流控制开通，基极电流为0则关断；
开关频率适中；
双极；
主要优点：通态压降小，通态损耗小；
主要缺点：驱动功率大，频率低。
SCR：
电流型半控器件；
正脉冲门极电流控制开通，触发信号不能控制开断；
开关频率低；
双极；
主要优点：通态压降小，通态损耗小；
主要缺点：驱动功率大，频率低。
GTO：
电流型全控器件；
正脉冲门极电流控制开通，负脉冲门极电流（较大）控制关断；
开关频率低；
双极；
主要优点：通态压降小，通态损耗小；
主要缺点：驱动功率大，频率低。
P-MOSFET：
电压型全控器件；
正持续栅极电压控制开通，负持续栅极电压控制并保持关断；
开关频率高；
单极；
主要优点：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高；
主要缺点：通态压降大（通态损耗大），电流、电压额定低。
IGBT：
电压型全控器件；
正持续栅极电压控制开通，负持续栅极电压控制并保持关断；
开关频率较高；
双极；
主要优点：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高；
主要缺点：通态压降大（通态损耗大）。
MCT：
电压型全控器件；
正脉冲电压控制开通，负脉冲电压控制关断；
开关频率较高（低于IGBT）；
双极；
主要优点：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高；
主要缺点：通态压降大（通态损耗大）。
SIT：
电压型全控器件；
持续电压控制断、通；
开关频率高；
单极；
主要优点：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高；
主要缺点：通态压降大（通态损耗大）。
文/电气御姐秀儿
来源： 头条号
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