作为微波炉中常用的半导体,IHW20N135R5场效应管却因价格过高而逐渐被国产半导体产品所替代。微波炉厂家通常用来替代IHW20N135R5场效应管的国产半导体是飞虹F25T135UAG场效应管。飞虹F25T135UAG mos管在性能与质量上和IHW20N135R5 mos管是一致的,但价格上却有很大优势。
飞虹F25T135UAG mos管是N沟道IGBT管,具有两种封装形式,分别是TO-3PN和TO-247,脚位排列为G-C-E,应用于微波炉中,功率大、损耗少。其主要参数为Vge=30土V,Vth=5.0-6.5V,Ic=25A,BVce=1350V。
使用过飞虹F25T135UAG mos管的厂家表示飞虹 mos管可靠性高,一致性好,温升低,值得回购。飞虹F25T135UAG mos管具有低VCEsat、Trench-FS技术、软电流关断波形、1350V高击穿电压的高可靠性,是RoHS产品。除了应用于微波炉外,飞虹F25T135UAG mos管还可应用于电磁炉、谐振转换器、软开关应用等方面。
广州飞虹电子通过不断的研发新品,逐渐把MOS管产品的使用范围拓展到更多电子领域,希望为电子产品的生产厂家提供强有力的元器件保障。例如这款飞虹FHA25T135UAG mos管,不仅质优价廉,而且还能替代IHW20N135R3场效应管。