上一篇文章分析了LDO的内部噪声主要是带隙基准源产生的噪声，为了抑制带隙基准源产生的噪声，主要有下面三种办法。
- 一是降低误差放大器的带宽，抑制了带隙基准源的高频噪声。但是降低带宽会使LDO的动态性能降低。
- 二是在带隙基准源和误差放大器之间加低通滤波。高性能的LDO都会有一个噪声抑制NR管脚，CNR并联在带隙基准源和GND之间，起到低通滤波的作用。（有的芯片也叫BYPASS引脚）
- 三是在反馈电阻R1上增加前馈电容CFF（也有在R2上增加旁路电容的）。在增加了CFF和CNR后，输出噪声可以表示为：
CFF越大，输出噪声就越小。频率越高，输出噪声越小。增加合适的前馈电容CFF，对改善LDO低频噪声有非常好的效果。
针对上述三种方式，实际的LDO芯片中采用的相关抑制技术也各不相同，具体可以参见相关的芯片手册。
在R1上并联电容（前馈电容）的情况如下：
在VREF上并联电容（旁路参考电压噪声）的情况如下：
在R2上并联电容（旁路反馈电压噪声）的情况如下：
旁路电容可以连接在反馈电压和地之间，也可以连接在VREF和地之间，还可以连接在反馈电压和输出之间。旁路电容可以减小输出噪声、相位裕度、PSRR，为了保持整个电源的稳定性，这种方式对COUT有特殊要求。
- 由于LDO的启动时间在其内部和该电容有关，所以增加旁路电容会使上电时间变缓。
- 对于输出可调的LDO，减小反馈分压电阻的值，也能减小噪声（阻值越小，FB引脚的寄生参数越小，引入的噪声也越小）
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