下面是我对 MOSFET 及 MOSFET 驱动电路基础的一点总结， 其中参考了一些 资料，非全部原创。包括 MOS 管的介绍，特性，驱动以及应用电路。

至于为什么不使用耗尽型的 MOS 管，不建议刨根问底。

MOS 管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制 造工艺限制产生的。 寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一 些，但没有办法避免，后边再详细介绍。

2，MOS 管导通特性

NMOS 的特性， Vgs 大于一定的值就会导通， 适合用于源极接地时的情况 （低 端驱动），只要栅极电压达到 4V 或 10V 就可以了。

3，MOS 开关管损失

MOS 在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS 两端的电压有一 个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS 管的损失是 电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关 频率越快，损失也越大。

4，MOS 管驱动

在 MOS 管的结构中可以看到，在 GS，GD 之间存在寄生电容，而 MOS 管的 驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充 电瞬 间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计 MOS 管驱动时 第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

上边说的 4V 或 10V 是常用的 MOS 管的导通电压，设计时当然需要有一定 的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更 小的 MOS 管用在不同的领域里，但在 12V 汽车电子系统里，一般 4V 导通就够用 了。

5，MOS 管应用电路

现在的 MOS 驱动，有几个特别的需求:

当使用 5V 电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的 be有 0.7V 左右的压降，导致实际最终加在 gate 上的电压只有 4.3V。这时候，我 们选用标称 gate 电压 4.5V 的 MOS 管就存在一定的风险。

同样的问题也发生在使用 3V 或者其他低压电源的场合。

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变 动导致 PWM 电路提供给 MOS 管的驱动电压是不稳定的。

同时，如果简单的用电阻分压的原理降低 gate 电压，就会出现输入电压 比较高的时候，MOS 管工作良好，而输入电压降低的时候 gate 电压不足，引起 导通不够彻底，从而增加功耗。

在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的 5V 或者 3.3V 数字电压，而功率 部分使用 12V 甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。



于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。 电路图如下：

关于该电路的工作原理及分析情况，请到附件中下载：

http://pan.baidu.com/s/1pKTvUXH