深圳爱仕特科技有限公司专注于第三代半导体碳化硅（SiC）MOS芯片设计、功率模块的生产制造及其基于SiC器件在新能源领域的应用系统开发方案。由武岳峰资本及国内多家知名投资机构投资数亿元，中国科学院及清华大学博士领军，数十位半导体行业资深人士共同组建的高科技技术创新性企业。
公司拥有全自主知识产权，已申请29项专利技术，采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品，并建立起车规级的SiC MOS模块工厂，可为客户提供整套应用解决方案。
深圳爱仕特科技的产品在大量国内外知名公司规模使用，涉及的行业包括新能源车的OBC/DC-DC/ 充电桩、光伏逆变器、通信电源、高端服务器电源、储能、工业电源、高铁、航天工业等。
我们用独特的产品设计与制造能力，为我们的客户提供优质的宽禁带半导体产品解决方案，并计划在未来继续专注于设计与制造高性价比的新能源汽车、通信及其他工业类应用系统的核心半导体零部件。
碳化硅（SiC）与Si器件相比，以碳化硅（Silicon Carbide SiC）为代表的宽禁带半导体功率器件具有更高的电压等级、更高的开关速度、更高的结温、更低的开关损耗等优势。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI，以及减小的系统尺寸和成本。
碳化硅器件的应用范围
碳化硅MOSFET及功率模块的应用资料
深圳爱仕特的产品分类
碳化硅芯片（晶圆）--碳化硅MOS单管--碳化硅模块--电机控制器，一整套方案应用。（联系微信-18126115420）
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车载充电机一般为两级电路，前级为图腾柱无桥PFC（Power Factor Correction）级，后级为DC/DC级。
● 单相一般采用BOOST结构，建议使用650V 、1200V--30A、60A等规格， TO247封装
● 三相一般采用VIENNA结构，建议使用1200V--30A、60A、100A等规格， TO247封装
● LLC中，如果OBC最高输出电压<550V，建议使用650V--30A、60A等规格， TO247封装
如果最高输出电压>550V，建议使用1200V--30A、60A等规格，TO247封装。