由前面的基础可知，CMOS只能实现基本逻辑的非，比如或逻辑，与逻辑，如果不加反相器，CMOS只能实现或非，与非逻辑。原因就是上拉逻辑只能用PMOS实现，下拉逻辑只能由NMOS实现，而PMOS的导通需要输入信号为0，NMOS导通需要输入信号为1。
既然如此，我们在用CMOS实现逻辑电路时，一般可以照如下顺序去做：
1. 可以先将其整体先加上一个非，作相应的逻辑转化。
2. 上拉逻辑中各个PMOS，与操作为并联，或操作为串联。
3. 下拉逻辑中各个NMOS，与操作为串联，或操作为并联。
比如我们想从CMOS层去实现逻辑 OUT = D+A*(B+C) （减号“-”表示取反（非）操作，“+”表示或,*表示与）。
设计过程如下：
1. OUT = - ( -(D+A*(B+C)) )
2. OUT1 = -(D+A*(B+C))
3. OUT = -OUT1
对于OUT1 = -(D+A*(B+C))，正好是逻辑整体上带了个非。
故对于上拉逻辑:
或操作为串联，从而输入B,C接到的PMOS之间为串联。
与操作为并联，故输入A接到的PMOS跟B,C或逻辑之间为并联。
或操作为串联，故D与A*(B+C)的PMOS逻辑为串联。
对于下拉逻辑与上拉逻辑正好相反：
或操作为并联，从而输入B,C接到的NMOS之间为并联。
与操作为串联，故输入A接到的NMOS跟B,C或逻辑之间为串联。
或操作为并联，故D与A*(B+C)的NMOS逻辑为并联。
从而得到 OUT1 = -(D+A*(B+C)) 的CMOS实现如下：
OUT = -OUT1，故得最终答案如下：
当然，在MOS管级别还可以做一些优化，比如MOS管级别的逻辑优化，MOS管栅源共用，晶体管尺寸调整，重新安排各个输入的上下顺序等等，都可以在MOS管级别使得电路的时序与面积功耗等得到优化，但这不是我们的重点，一般对于全定制IC设计会从MOS管级开始考虑电路的实现。这里我们只是对其做一个了解。
该内容转载自小鱼学IC，仅供学习交流使用，如有侵权，请联系删除。
/3 
