浪拓电子的BV03CW瞬态抑制二极管ESD保护高达±15kV（空气放电），±8kV（接触放电），具有150W峰值脉冲功率（tp=8/20μs），超低电容：最大1.5pF，箝位电压低等特性。
TVS二极管阵列BV03CW
电性参数：
·功率pPP: 150W 8/20μs
·断态电压3V，
·箝位电压VCC<15V IPP>10A
·极低的漏电流 IR<0.5μA
·结电容C<1.5pF
浪拓电子的BV03DW瞬态抑制二极管ESD保护高达±15kV（空气放电），±8kV（接触放电），具有450W峰值脉冲功率（tp=8/20μs），超低电容：最大3pF，箝位电压低等特性。
TVS二极管阵列BV0DCW
电性参数：
·功率pPP: 450W 8/20μs
·断态电压3V，
·箝位电压VCC<18V IPP>25A
·极低的漏电流 IR<0.5μA
·结电容C<3pF
典型应用
浪拓电子（LangTuo）提供 TVS（瞬态抑制二极管阵列）产品，保护低电压电路不会受到因静电放电、雷闪以及其它毁灭性瞬间电压所造成的损坏或锁定。我们的产品具有低限制电压、低电容和低泄漏电流等特性。同时，我们的产品符合业界最苛刻的瞬变免疫标准，包括 IEC、1089 和FCCpart68 中的相关标准。
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