常用的工业系统、电信服务器、存储和基础设施设备均采用肖特基二极管来提供系统冗余，或通过对两个或更多电源采用 ORing 电路来增加功率容量。然而，肖特基二极管的正向压降会在大电流下产生显著的功率损耗，从而更需要使用散热器和更大 PCB 空间来进行热管理。正向传导损耗和相关的热管理会使效率降低，并使系统成本和空间增加。随着系统功率水平的提高以及功率密度需求的增加，肖特基二极管不再是新一代高性能系统设计的优先选择。
本应用手册重点介绍了采用肖特基二极管或 P 沟道 MOSFET 的传统输入电池保护解决方案的局限性，并讨论了如何使用德州仪器 (TI) 的理想二极管控制器来提高电池输入保护应用和电源 ORing 应用的效率和性能。
理想二极管基础知识.pdf
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