MDD品牌中低压MOS芯片采用沟槽（Trench）或深沟槽（SGT）工艺。栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。导通电阻较小，RDS(ON）可达1mΩ以下，功耗小。噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强。
中低压MOS在快充电源中同步整流应用案例：
快充电源的初级部分，和一般充电品适配器的初组基本一致，但在输出端增加了同步整流、电池检测和充放电保护等电路，当检测到电池电压未低于充电启动值，即使电池未充满，快充将停止对电池充电，对电池的使用寿命起到保护作用。
MOSFET规格书下载：
MDD50N06P TO-220 221021.pdf
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