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40V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQ4401EY-T1_GE3,功率耗散最大值7.14W,采用8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)封装,有效提升板级可靠性。SQ4401EY-T1_GE3通过AEC-Q101认证,节省PCB空间并降低成本,同时导通电阻低于其他封装MOSFET。
广泛的应用领域可用做消费电子、计算机及外设、网络通信、汽车电子、LED显示屏,手机,平板电脑等便携式设备中的负载开关。
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