IGBT类型: NPT(非穿通型)
集射极击穿电压(Vces): 1.7kV
集电极电流(Ic) :75A
功率(Pd) :350W
集电极脉冲电流(Icm) :200A
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) :3.3V@15V,32A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge) :155nC
输入电容(Cies@Vce) -
开启延迟时间(Td(on): 45ns
关断延迟时间(Td(off)): 270ns
导通损耗(Eon) -
关断损耗(Eoff): 11mJ
工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)
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