漏源电压（Vdss）：120V，这意味着该器件在正常工作时，漏极和源极之间所能承受的最大电压为 120V。如果超过这个电压，可能会导致器件损坏。
漏极电流（Id）：179A，该参数表示在特定条件下，漏极允许通过的最大电流为 179A，这体现了其较大的电流承载能力，适用于对功率要求较高的应用场景，比如电动工具等1。
漏源导通电阻（Rds (on)）：3.7mΩ，导通电阻较低，在器件导通时，漏极和源极之间的电阻较小，这有助于降低器件的导通损耗，提高能量转换效率。
栅源电压（Vgs）：±20V，栅极和源极之间所允许施加的电压范围是正负 20V，在实际应用中，需要确保栅源电压在这个范围内，以保证器件的正常工作和性能稳定。
栅极电荷（Qg）：130nC，栅极电荷反映了驱动 MOSFET 所需的电荷量，该值对于设计驱动电路和评估器件的开关性能具有重要意义。
反向恢复时间：33ns，反向恢复时间较短，这意味着器件在开关过程中，从导通状态切换到截止状态或从截止状态切换到导通状态的速度较快，能够满足高频应用的需求。
最大耗散功率：45W，器件在正常工作时，所能承受的最大耗散功率为 45W，如果超过这个功率，器件可能会因过热而损坏。
工作温度范围：150°C（Tj），表示器件能够正常工作的温度范围，最高工作结温为 150°C，在实际应用中，需要确保器件的工作温度不超过这个范围，以保证器件的可靠性和稳定性。
TK72A12N1产品优势：
电气性能方面：
低开关损耗
快速开关速度
高输入阻抗
电流电压承载能力方面：
较高的漏极电流
合适的漏源电压
总的来说，TK72A12N1 是一款性能较为优异的 N 沟道功率 MOSFET，适用于对功率、效率和开关速度有较高要求的应用场景
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