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三星宣布开始量产1TB eUFS 2.1闪存

2019-1-31 15:06:22 显示全部楼层
三星开始量产单芯片1TB容量的UFS2.1 存储产品。

规格方面,芯片封装大小为
11.5×13毫米,内部有16512Gb V-NAND (第五代) 堆栈组成。性能方面,支持UFS 2.1规范,连续读取速度最高1000MB/s、连续写入最高260MB/s、随机读取速度为58K IOPS、随机写入为50K IOPS
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这款存储器基于第五代V-NAND技术打造,容量是64GB版本的20倍,速度是典型microSD存储卡的10倍,特别适合数据密集型应用。

三星表示,目前仍有许多高端智能手机存储空间为64GB,这一容量只能存储13段10分钟长的4K视频,1TB的存储空间则能够存储最多260段同样长度的4K视频。   

三星电子内存销售与营销执行副总裁Cheol Choi表示:“1TB eUFS预计将在为下一代移动设备带来更多类似笔记本的用户体验方面发挥关键作用。更重要的是,三星致力于确保最可靠的供应链和足够的生产数量,以支持及时推出即将推出的旗舰智能手机,以加速全球移动市场的增长。”   

据悉,为全面满足全球移动设备制造商对1TB eUFS的强劲需求,三星计划在2019年上半年在韩国Pyeongtaek工厂扩大其第五代V-NAND的产量。   

以上三星公布的种种信息,似乎暗示搭载1TB eUFS闪存的智能手机将会在今年亮相,会不会是马上要发布的三星Galaxy S10?我们拭目以待。

(
全球半导体观察,終端和組件市場閃報 )

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curton

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