IHW20N135R3场效应管虽然是原先的电磁炉中常用的电子元器件,但现在已经被国产的飞虹FHA25T135UAG mos管所代替了。相比起IHW20N135R3场效应管,飞虹FHA25T135UAG mos管在质量和性能上毫不逊色,但是价格上却占了很大优势,因此受到了电磁炉生产厂家的青睐。
飞虹FHA25T135UAG场效应管是N沟道IGBT管,脚位排列为G-C-E,具有两种封装形式,分别是TO-3PN和TO-247,Vge=30土V,Vth=5.0-6.5V,Ic=25A,BVce=1350V。飞虹FHA25T135UAG场效应管功率大、损耗少。
除了应用于电磁炉外,飞虹FHA25T135UAG场效应管还可应用于微波炉、谐振转换器、软开关应用等方面。飞虹FHA25T135UAG场效应管具有Trench-FS技术、低VCEsat、软电流关断波形、1350V高击穿电压的高可靠性,是RoHS产品。使用过FHA25T135UAG mos管的厂家表示其可靠性高,一致性好,温升低,值得回购。
广州飞虹电子通过不断的研发新品,逐渐把MOS管产品的使用范围拓展到更多电子领域,希望为电子产品的生产厂家提供强有力的元器件保障。例如这款飞虹FHA25T135UAG mos管,不仅质优价廉,而且还能替代IHW20N135R3场效应管。除提供免费试样外,飞虹可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。