浪拓 DFN1006-2L封装、表面安装双向 TVS （瞬态电压抑制器）二极管设计用于为如手机等电子设备、手持式电子和其他便携式电子应用提供信号和电源线路 ESD 保护。
特点及优势
•IEC61000-4-2（ESD）：±25kV（接触放电）±25kV（空气放电）
•IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8 /20μs）
•电容：CJ = 15pF（典型值）
•超低漏电流：IR <1nA（典型值）
•低钳位电压：VCL = 12.5V（典型值） @ IPP = 6A（TLP）
•IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8 /20μs）
•电容：CJ = 15pF（典型值）
•超低漏电流：IR <1nA（典型值）
•低钳位电压：VCL = 12.5V（典型值） @ IPP = 6A（TLP）
•峰值脉冲功率75W（8/20μS）
•无铅
应用
计算机和外围设备
手机
便携式电子产品
笔记本
手机
便携式电子产品
笔记本
浪拓电子提供一系列瞬态电压抑制二极管，包含静电保护二极管及功率保护二极管，完整保护客户线路避免雷击/EFT/突波/静电所造成损坏。
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