瞬态电压抑制器（也称为瞬态抑制二极管——TVS Diode）专门用于保护电子电路，以防受到瞬变和过压的危害，例如：EFT（电气快速瞬变）以及ESD（静电放电）。瞬态抑制二极管是采用硅雪崩技术的器件，因其具有反应时间快（低钳位电压）、电容值较低和漏电流低等特点而被选用。
特征：
◇峰值脉冲功率350W（8/20μS）；
◇低电容 < 1.5PF；
◇高温IR(125℃) :< 1µA.；
◇极低的残压: <18.5V@19A；
◇符合RoHS；
◇封装尺寸SOD323；
◇符合 IEC61000-4-2 Level 4：接触放电±30kV，空气放电±30kV
◇满足IEC 61000-4-5(Lightning)25A(1.2/50μs-8/20μs)标准
应用：
◇以太网接口；
◇xDSL端口；
◇eSATA接口；
◇SDI接口；
◇数字视频接口（DVI）；
◇高清晰度多媒体接口（HDMI）
浪拓电子提供 TVS（瞬变电压抑制器）产品，保护低电压电路不会受到因静电放电、雷闪以及其它毁灭性瞬间电压所造成的损坏或锁定。我们的产品具有低限制电压、低电容和低泄漏电流等特性。同时，我们的产品符合业界最苛刻的瞬变免疫标准，包括 IEC、ETSI、Bellcore1089 和 FCC part 68 中的相关标准。
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