传统集成电路（IC）封装的主要生产过程
IC的封装工艺流程可分为晶圆切割、晶圆粘贴、金线键合、塑封、激光打印、切筋打弯、检验检测等步骤。
传统半导体封装的七道工序
晶圆切割
首先将晶片用薄膜固定在支架环上，这是为了确保晶片在切割时被固定住，然后把晶圆根据已有的单元格式被切割成一个一个很微小的颗粒，切割时需要用去离子水冷却切割所产生的温度，而本身是防静电的。
晶圆粘贴
晶圆粘贴的目的将切割好的晶圆颗粒用银膏粘贴在引线框架的晶圆上，用粘合剂将已切下来的芯片贴装到引线框架的中间焊盘上。通常是环氧（或聚酰亚胺）用作为填充物以增加粘合剂的导热性。
金线键合
金线键合的目的是将晶圆上的键合压点用极细的金线连接到引线框架上的内引脚上，使得晶圆的电路连接到引脚。通常使用的金线的一端烧成小球，再将小球键合在第一焊点。然后按照设置好的程序拉金线，将金线键合在第二焊点上。
塑封
将完成引线键合的芯片与引线框架置于模腔中，再注入塑封化合物环氧树脂用于包裹住晶圆和引线框架上的金线。这是为了保护晶圆元件和金线。塑封的过程分为加热注塑，成型二个阶段。塑封的目的主要是：保护元件不受损坏；防止气体氧化内部芯片；保证产品使用安全和稳定。
激光打印
激光打印是用激光射线的方式在塑封胶表面打印标识和数码。包括制造商的信息，器件代码，封装日期，可以作为识别和可追溯性。
切筋打弯
将原来连接在一起的引线框架外管脚切断分离，并将其弯曲成设计的形状，但不能破坏环氧树脂密封状态，并避免引脚扭曲变形，将切割好的产品装入料管或托盘便于转运。
检验
检验检查产品的外观是否能符合设计和标准。常见的的测试项目包括：打印字符是否清晰、正确，引脚平整性、共面行，引脚间的脚距，塑封体是否损伤、电性能及其它功能测试等。
半导体封装技术和工艺
半导体封装技术
芯片封装的实质：
传统意义的芯片封装一般指安放集成电路芯片所用的封装壳体，它同时可包含将晶圆切片与不同类型的芯片管脚架及封装材料形成不同外形的封装体的过程。从物理层面看，它的基本作用为：为集成电路芯片提供稳定的安放环境，保护芯片不受外部恶劣条件（例如灰尘，水气）的影响。从电性层面看，芯片封装同时也是芯片与外界电路进行信息交互的链路，它需要在芯片与外界电路间建立低噪声、低延迟的信号回路。
然而不论封装技术如何发展，归根到底，芯片封装技术都是采用某种连接方式把晶圆切片上的管脚与引线框架以及封装壳或者封装基板上的管脚相连构成芯片。而封装的本质就是规避外界负面因素对芯片内部电路的影响，同时将芯片与外部电路连接，当然也同样为了使芯片易于使用和运输。
芯片封装技术越来越先进，管角间距越来越小，管脚密度却越来越高，芯片封装对温度变化的耐受性越来越好，可靠性越来越高。另外一个重要的指标就是看芯片与封装面积的比例。
此外，封装技术中的一个主要问题是芯片占用面积，即芯片占用的印刷电路板（PCB）的面积。从早期的DIP封装，当前主流的CSP封装，芯片与封装的面积比可达1:1.14，已经十分接近1:1的理想值。而更先进MCM到SiP封装，从平面堆叠到垂直堆叠，芯片与封装的面积相同的情况下进一步提高性能。
各种常用封装管壳
封装管壳内部
封装技术工艺发展历程：
半导体封装技术的发展历史可划分为三个阶段。
半导体封装技术的发展历史
第一阶段（20世纪70年代之前）
以通孔插装型封装为主；典型的封装形式包括最初的金属圆形(TO型)封装，以及后来的陶瓷双列直插封装(CDIP)、陶瓷-玻璃双列直插封装(Cer DIP)和塑料双列直插封装(PDIP)等；其中的PDIP,由于其性能优良、成本低廉，同时又适于大批量生产而成为这一阶段的主流产品。
第二阶段（20世纪80年代以后）
从通孔插装型封装向表面贴装型封装的转变，从平面两边引线型封装向平面四边引线型封装发展。表面贴装技术被称为电子封装领域的一场革命，得到迅猛发展。与之相适应，一些适应表面贴装技术的封装形式，如塑料有引线片式裁体（PLCC）、塑料四边引线扁平封装（PQFP）、塑料小外形封装（PSOP）以及无引线四边扁平封装（PQFN）等封装形式应运而生，迅速发展。其中的PQFP，由于密度高、引线节距小、成本低并适于表面安装，成为这一时期的主导产品。
第三阶段（20世纪90年代以后）
半导体发展进入超大规模半导体时代，特征尺寸达到0.18-0.25µm，要求半导体封装向更高密度和更高速度方向发展。因此，半导体封装的引线方式从平面四边引线型向平面球栅阵列型封装发展，引线技术从金属引线向微型焊球方向发展。
在此背景下，焊球阵列封装（BGA）获得迅猛发展，并成为主流产品。BGA按封装基板不同可分为塑料焊球阵列封装（PBGA），陶瓷焊球阵列封装（CBGA），载带焊球阵列封装（TBGA），带散热器焊球阵列封装(EBGA)，以及倒装芯片焊球阵列封装（FC-BGA）等。
为适应手机、笔记本电脑等便携式电子产品小、轻、薄、低成本等需求，在BGA的基础上又发展了芯片级封装（CSP）;CSP又包括引线框架型CSP、柔性插入板CSP、刚性插入板CSP、园片级CSP等各种形式，目前处于快速发展阶段。
同时，多芯片组件（MCM）和系统封装（SiP）也在蓬勃发展，这可能孕育着电子封装的下一场革命性变革。MCM按照基板材料的不同分为多层陶瓷基板MCM（MCM-C）、多层薄膜基板MCM（MCM-D）、多层印制板MCM（MCM-L）和厚薄膜混合基板MCM（MCM-C/D）等多种形式。SiP是为整机系统小型化的需要，提高半导体功能和密度而发展起来的。SiP使用成熟的组装和互连技术，把各种集成电路如CMOS电路、GaAs电路、SiGe电路或者光电子器件、MEMS器件以及各类无源元件如电阻、电容、电感等集成到一个封装体内，实现整机系统的功能。
目前，半导体封装处于第三阶段的成熟期与快速增长期，以BGA/CSP等主要封装形式开始进入规模化生产阶段。同时，以SiP和MCM为主要发展方向的第四次技术变革处于孕育阶段。
半导体封装材料
半导体元件的封接或封装方式分为气密性封装和树脂封装两大类，气密性封装又可分为金属封装、陶瓷封装和玻璃封装。封接和封装的目的是与外部温度、湿度、气氛等环境隔绝，除了起保护和电气绝缘作用外，同时还起向外散热及应力缓和作用。一般来说，气密性封装可靠性高，但价格也高。目前由于封装技术及材料的改进，树脂封装已占绝对优势，但在有些特殊领域（军工、航空、航天、航海等），气密性封装是必不可少的。
按封装材料可划分为：金属封装、陶瓷封装（C）、塑料封装（P）。采用前两种封装的半导体产品主要用于航天、航空及军事领域，而塑料封装的半导体产品在民用领域得到了广泛的应用。目前树脂封装已占世界集成电路封装市场的98%，97%以上的半导体器件的封装都采用树脂封装，在消费类电路和器件领域基本上是树脂封装一统天下，而90%以上的塑封料是环氧树脂塑封料和环氧液体灌封料。
芯片电学（零级封装）互连：
在一级封装中,有个很重要的步骤就是将芯片和封装体（进行电学互连的过程，通常称为芯片互连技术或者芯片组装。为了凸显其重要性，有些教科书也将其列为零级封装。也就是将芯片上的焊盘或凸点与封装体通常是引线框架用金属连接起来）。在微电子封装中,半导体器件的失效约有一是由于芯片互连引起的,其中包括芯片互连处的引线的短路和开路等，所以芯片互连对器件的可靠性非常重要。
常见的芯片电学互连有三种方式,分别是引线键合，载带自动焊和倒装焊。
通常，TAB和FC虽然互连的电学性能要比好，但是都需要额外的设备。因此,对于I/O数目较少的芯片，TAB和FC成本很高，另外，在3D封装中，由于芯片堆叠,堆叠的芯片不能都倒扣在封装体上,只能通过WB与封装体之间进行互连。基于这些原因,到目前为止,WB一直是芯片互连的主流技术,在芯片电学互连中占据非常重要的地位。
芯片电学互连（零级封装）的三种方式
引线键合（WB）
引线键合（WB）是将芯片焊盘和对应的封装体上焊盘用细金属丝一一连接起来,每次连接一根,是最简单的一种芯片电学互连技术,按照电气连接方式来看属于有线键合。
载带自动焊（TAB）
载带自动焊（TAB）是一种将IC安装和互连到柔性金属化聚合物载带上的IC组装技术。载带内引线键合到IC上,外引线键合到常规封装或者PCB上,整个过程均自动完成,因此,效率比要高。按照电气连接方式来看属于无线键合方法。
倒装焊（FC）
倒装焊（FC）是指集成电路芯片的有源面朝下与载体或基板进行连接。芯片和基板之间的互连通过芯片上的凸点结构和基板上的键合材料来实现。这样可以同时实现机械互连和电学互连。同时为了提高互连的可靠性,在芯片和基板之间加上底部填料。对于高密度的芯片,倒装焊不论在成本还是性能上都有很强的优势,是芯片电学互连的发展趋势。按照电气连接方式来看属于无线键合方法。
/2 
