IGBT是最常见的功率器件，经常使用在强电流高电压的场合，如电动汽车、变电站等场景。器件结构由MOSFET加BJT构成，兼具了高输入阻抗和低导通压降的优点。可以说，IGBT是电子设备的CPU，被国家列为重点研究课题。
IGBT测试难点：
1.由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。
2. IGBT的漏电越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。
3. IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。
4.由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显。脉冲测试可以减少自加热效应。所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用以评估器件的自加热特性。
5. MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6. IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。
测试项目举例：
静态参数：
击穿电压、阈值电压、开态电流、漏电流、正向跨导、输入电容、输出电容、反向传输电容等
动态参数：
开通时间、关断时间、关断延迟时间、下降时间、单脉冲开通、关断能量
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