随着线路数据传输速度的不断提高,保护抑制器电容带来的影响,成为静电放电保护设计中不容忽视的问题。合理的参数选择对保证信号的稳定性和完整性十分重要。对于低频电路,大的保护抑制器电容是有益的,因为它可以滤去高频干扰而使低频信号顺利通过。而对于高频电路则完全相反,大的保护抑制器电容会导致信号恶化,降低电路对信号的识别能力。在通用串行总线标准USB 2.0 所支持的最高传输率为480 Mbps 的数据传输线中,加入电容量仅为10pF 的ESD 保护抑制器,就足以使其信号的上升和下降时间增加140%,从而限制了它们的线路应用。

在高速信号线,如果是USB2.0 接口和IEEE1394 中,它们的电容量分量可使波形衰退,从而限制了它们的线路应用。

因此,高频信号传输线路中的ESD 保护器必须具有足够小的电容量,以保证传输数据的连续和完整,这必然要求静电保护器件向低电容化的方向发展。

尤其是在高频信号数据接口(如HDMI、USB、GPS、NFC、WLAN等)静电保护应用时,要选择低电容的ESD静电保护器件避免信号波形畸变或干扰。浪拓电子供应的低电容静电保护器件BV-ULC0524PA,结电容值低至0.6pF,5V工作电压、DFN-2510-10L封装,高速数据线路保护。满足:IEC 61000-4-2 (ESD)±18kV (air), ±12kV(contact), IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns), IEC61000-4-5 (Lightning) 5A (8/20s)典型应用
USB2.0 3.0保护电路 - 2 - 副本.png USB3.0分立和集成两种防护 - 副本.png

深圳浪拓电子公司低电容静电保护器件种类繁多,型号齐全。

浪拓公司部分产品线 -ESD TVS.png