高可靠性半桥驱动电路。该半桥电路高侧功率管采用P沟道VDMOS，低侧功率管采用N沟道VDMOS管，内部逻辑控制及功率管栅极驱动电路为采用BCD工艺设计的专用电路，实现半桥驱动电路功能。

该半桥驱动电路采用两个输入信号控制高侧、低侧功率管的导通及关闭。控制方式为PWM/EN控制方式。电路内置了动态死区调节电路，检测到高侧功率管关闭后才允许开启低侧功率管，反之亦然。该半桥驱动电路最高工作电压为40V，封装形式为SOP8，持续电流能力为5A。

该系列电路支持零待机功耗，通过EN信号高电平脉冲启动电路，启动延迟约30us。当EN信号低电平持续时间超过122ms，则电路进入零待机电流工作模式。



产品特性

>   零待机功耗

>   电源电压工作范围：5V~40V

>  工作温度：-40℃ - 105℃

>   内置动态死区保护电路，最小死区时间 250ns

>   PWM/EN 信号输入方式

>   电流输出能力 5A

>   5V 输入逻辑

>   内置欠压保护功能

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