几年前，芯片行业的标准是14nm生产工艺，是指每个晶体管的宽度。目前在商业领域，iPhone XR、iPhone XS和iPhone XS Max上装备的A12 Bionic芯片就是7nm生产工艺，而且目前已经有生产厂商开始试验5nm生产工艺。而研究人员开发的一些新晶体管再次将其减半，根据测量创纪录的达到2.5纳米宽。
为了制造它们，该团队在新进开发的微加工工艺热原子层蚀刻（thermal ALE）基础上进行了改进。首先他们将称之为铟镓砷（indium gallium arsenide）的合金半导体材料暴露于氟化氢（hydrogen fluoride）上，用于在基板表面上形成薄薄的金属氟化物层。
接下来该团队添加了一种名为二甲基氯化铝（DMAC）的有机化合物，用于触发配位体交换（ligand exchange）的化学反应。DMAC中名为“ligands”的离子和金属氟化物层中的原子结合，因此当DMAC被清除时，它将单个原子从金属表面上剥离。每次刻蚀仅0.2纳米，当重复数百次过程时，蚀刻精度可以达到令人惊叹的地步。
该研究的第一作者卢文杰说：“这就有点像是一层层的剥洋葱。在每个循环中，我们只能蚀刻掉2%的纳米材料。这使我们具有超高的精度和对过程的精确控制。”研究人员使用该技术制造了FinFET（鳍片场效应晶体管），通常情况下精度为5nm，而最高精度可以达到2.5纳米。稿源：cnBeta.COM
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