半导体保护熔断器是专为功率半导体器件如IGBT、IGCT、GTO、SCR等提供保护的快速熔断器。半导体产品非常昂贵，但承受的过载能力却非常有限。因此，必须制造过载更灵敏、分断更迅速的熔断器对其提供保护。
特性分类： aR 局部短路保护
            gR 全范围保护，低I2T
             gS 全范围保护，低功耗
常见标准分类：UL标准圆柱形
                        IEC标准方体
                         BS标准圆柱体
VRH VRP全图.png VSP.jpg VBS.jpg

选型的因素：
1.额定电压
2.电弧电压
3.环境温度
4.冷却条件
5.频率
6.过载电流
7.熔断I2T
8.功耗
9.短路等级
10.导体线径
11.熔断器的串并联

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