[size=18.6667px]常州鼎先电子有限公司
[size=18.6667px]13775299578邢思前
[size=18.6667px]专业生产瞬态抑制二极管阵列 TVS ESD Array
[size=18.6667px]
[size=18.6667px]以太网通信接口防护电路图LC03-3.3.TBT 静电保护装置, TVS, 18 V, SOIC, 8 引脚, 3.3 V, 1.8 kW, LC03 SeriesSP03-3.3BTG静电保护装置, TVS, 18 V, SOIC, 8 引脚, 3.3 kW,
为实现RJ45网口与以太网PHY芯片间具有高抗ESD和抗雷击保护，一般需要TVS阵列具备如下特点：
1、最大反向工作电压：一般选择2.8V或3.3V即可；
2、高抗ESD能力：至少通过IEC61000-4-2 ESD ±8kV Contact，±15kV Air；
3、高抗雷击防护能力：至少通过IEC61000-4-5，level2（lighting），100A（tp=8/20μs）；
4、TVS阵列建议采用直通式设计：避免使用90°角和过孔造成差分阻抗改变，进而影响数据传输的完整性；
5、低的结电容
双通道TVS阵列LC03-3.3BTG，最大反向工作电压为3.3V，信道走线采用“直通型”设计结构，低至4.5pF典型I/O线-线间结电容，低至9pF典型I/O线-GND间结电容，每个器件均可保护2个信道或1个差分线对，工作温度范围-40℃~125℃，典型电性参数参考如下图3所示双通道TVS阵列LC03-3.3BTG理由如下：
1、高抗雷击防护能力：相比同类竞争产品（如L2KE3V3K8-2S）具有高抗雷击防护能力，通过IEC61000-4-5，level2（lighting），130A（tp=8/20μs）；
2、高抗ESD能力：可以安全地吸收在IEC 61000-4-2国际标准（4级，±30kV接触放电，±30kV空气放电）中规定的最大水平的重复性静电放电，而不会降低性能；
3、典型I/O线-线间结电容低至4.5pF、 典型I/O线-GND间结电容低至9pF，有助于维护信号完整性，并最大限度地减少数据丢失，同时提供免受电气威胁的更强大设备；
4、5.0mm x 6.2mm SOIC-8封装，可在高达±30kV/Air，±30kV/Contact ESD的条件下保护1个差分数据线对（2个通道），单机用2颗，可以大幅度节省PCB板空间，有利于产品小型化设计需求；
5、走线采用“直通型”设计结构，可保障信号完整性、减少电压过冲并简化印刷电路板设计
[size=18.6667px]
LC03-3.3.pdf
(1.06 MB, 下载次数: 0)
LC03-3.3.pdf
(1.06 MB, 下载次数: 0)
热门资料
热门活动
全部回复 0
暂无评论，快来抢沙发吧
/3 
