模拟电子技术学习的重点主要有：晶体管（三极管）放大电路、场管（场效应管）放大电路、（正）负反馈放大电路、集成运算放大器、波形及变换电路、功放电路、直流电源等。
在实际电路设计中，应用较多的应该是场效应管和运算放大器。
场效应管目前实际中应用最广，远远超过双极型晶体管（BJT）（三极管）。场效应管，包括最常见的MOSFET，在电源、照明、开关、充电等等领域随处可见。

运算放大器在目前的应用，也是如火如荼。比较器、模数转换（ADC）、数模转换器（DAC）、电源（直流电源、交流电源、稳压电源、开关电源）、仪器仪表等等应用场合都可以见到运算放大器的身影。

一、场效应管
场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道和P沟道两种。有结型场管和绝缘栅型场管IGFET之分。IGFET又称金属-氧化物-半导体管MOSFET。MOS场效应管有增强型EMOS和耗尽型DMOS两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。
学习时，可将MOSFET和BJT比较，就很容易掌握，功率MOSFET是一种高输入阻抗、电压控制型器件，BJT则是一种低阻抗、电流控制型器件。

再比较二者的驱动电路，功率MOSFET的驱动电路相对简单。BJT可能需要多达20%的额定集电极电流以保证饱和度，而MOSFET需要的驱动电流则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动。
其次，MOSFET的开关速度比较迅速，MOSFET是一种多数载流子器件，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应。
其三，MOSFET没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低。它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。此外，MOSFET具有并行工作能力，具有正的电阻温度系数。温度较高的器件往往把电流导向其它MOSFET，允许并行电路配置。而且，MOSFET的漏极和源极之间形成的寄生二极管可以充当箝位二极管，在电感性负载开关中特别有用。
场效应管两种工作模式，即开关模式或线性模式。
所谓开关模式，就是器件充当一个简单的开关，在开与关两个状态之间切换。
线性工作模式是指器件工作在某个特性曲线中的线性部分，但也未必如此。此处的“线性”是指MOSFET保持连续性的工作状态，此时漏电流是所施加在栅极和源极之间电压的函数。它的线性工作模式与开关工作模式之间的区别是，在开关电路中，MOSFET的漏电流是由外部元件确定的，而在线性电路设计中却并非如此。


二、运算放大器
运放所传递和处理的信号，包括直流信号、交流信号，以及交、直流叠加在一起的合成信号。而且该信号是按“比例（有符号+或-，如：同相比例或反相比例）”进行的。不一定全是“放大”，某些场合也可能是衰减（如：比例系数或传递函数K=Vo/Vi=-1/10）。

运算放大器直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏置电流、输入失调电流、输入失调电流温漂、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。
交流指标有开环带宽、单位增益带宽、转换速率SR、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。
选择运放，可以只侧重考虑三个参数：输入偏置电流、供电电源和单位增益带宽。




来源：老马识途单片机