FQA6N90C-F109 N沟道增强型功率MOSFET 采用专有平面条形和 DMOS 技术。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性：
1.6A, 900V, RDS(on)= 2.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3A栅极电荷低（典型值：30nC)
2.低 Crss（典型值11pF)
3.100% 经过雪崩击穿测试
4.符合 RoHS 标准
应用领域：
不间断电源
开关模式电源
有源功率因数校正（PFC）
电子镇流器
/2 
