金属镓、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金属锗等物项，是二代、三代、四代半导体的重要原材料，涉及领域包括射频芯片、LED、激光器芯片（发射、探测）、超快充芯片、太阳能电池、光纤预制棒等，涉及范围较广，但管制措施实施情况仍有待观察。就激光器芯片而言，涉及主要是砷化镓材料体系，并未涉及磷化铟。根据华经产业数据，中国镓占比全球镓产量持续提升，截止2021年，占比全球镓产量已超90%；另外锗资源中，全球储量约8600吨，中国占41%，美国占45%。
【管制并不等于禁运】本次主要针对III-V族原材料出口，通信领域中，我们预计对含有上述原材料的成品（光模块、光纤预制棒、光纤光缆、射频功放）等出口并不形成管制。另外管制并不等于禁运，即还有商量回旋的余地，目前无法对原材料出口管制落实最终到底孰好孰坏做确定性分析，可做一些推演。
III-V族管制最可能出现的客观变化推演：国内GaAs衬底外延、原材料等可能出现降价，海外GaAs衬底、原材料出现涨价且供应紧缺，整体对海外衬底生产厂压力增大，对国内具有IDM能力的光芯片和模块厂商影响偏正面，具体推演如下。
GaAs方案影响：国内GaAs成本较低，且像长瑞光电（旭创投资）、老鹰半导体等已有56G PAM4、100G VCSEL等样品，国内长光华芯、光迅科技也在研发高速VCSEL，可能加速国产VCSEL芯片在光通信领域应用
InP方案影响：海外GaAs衬底供应紧缺，100G VCSEL芯片产能受限。目前100G VCSEL主要供应商为博通，后续虽然Lumentum也考虑扩产，但考虑衬底供应紧缺和原材料成本上升，VCSEL方案可能性价比降低。预计当前仅博通一家供应的情况下1*4阵列VCSEL价格也在40-50美金，一个800G模块用2片，光芯片角度并不比100G EML方案优势明显。考虑明年全球多模VCSEL芯片供应可能受限，最终800G模块更多转向单模EML方案
芯片选择影响：本次III-V族管制虽不包括lnP，但可能某种程度上会加速国内光模块厂商导入国内终端客户，以及海外光模块公司导入海外终端客户的进程
- 本次包含的产品有1）金属Ge、锗锭、ZnGeP2、Ge衬底、GeO2、GeCl4；2）金属Ga、GaN、Ga2O3、GaP、GaAs、InGaAs、GaSb、Ga2Se3，以上主要为金属及III-V族半导体材料。目前看，我们梳理下来与使用到镓、锗的成品的通信成品主要包括光芯片（InGaAs，GaAs ）、光纤预制棒（四氯化锗）、无线射频功放(GaN）。
- 1、此次管制主要针对砷化镓GaAs，主要影响到工业激光器所需EEL以及光通信近距离VCSEL。
- 2、另外虽然此次未涉及InP，但GaAs受限后，后续可能出现挤压GaAs需求、而InP需求增多的现象。800G光模块方案中有望增加EML的用量，进而拉动InP需求。
- 3、高纯度的四氯化硅是生产光纤预制棒的重要材料，管制措施对光纤光缆企业也是利好
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