1. 评估计划
在 SiC MOSFET 等功率元器件的评估涉及到高电压和大电流，罗姆这款P02SCT3040KR-EVK评估板采用常见的电路配置--半桥电路，并配有驱动电路、驱动电源、过电流保护电路及栅极信号保护电路等，提供了良好的评估环境，基本的评估起点是脉冲控制下进行测试，所以，就从单脉冲和双脉冲测试开始准备。
2.评估准备
首先需要准备一个信号源，可以采用信号发生器，也可以直接采用单片机的PWM控制，这样可以良好地控制频率和占空比。
但是，对于基本功能评测，使用方波控制就可以满足要求，因此，使用单片机的BLINK，合理设置周期就可以生成脉冲方波了。
最大开关频率可以达到500kHz，那么设置到1KHz开始测试。程序简单代码如下，
其次需要正确接线，如下的几个端口需要正确选择并连接，其中CN202是给评估板的控制回路供电，需要12V电压，
CN201和JP1的组合选择就是对应于单脉冲和双脉冲信号的连接和配置，
对应的JP1选择点位置
3.双脉冲控制
首先按照如下方式接线，首先选择是双脉冲控制，提供一个脉冲，同时实现对两个回路的交替控制，
使能ENABLE接GND，然后控制回路音节到第03号接口，
这时就可以控制远端的电源通断的，测试电源选择如下，可以测出电压。
上电后，整个开发板工作正常，
在负载回路就可以检测到和输入回路同样频率的放大电压，最大可以达到150A的
4.单脉冲控制
通过上述双脉冲控制，就可以开始进行更复杂一些的测试，就是单脉冲测试。分别在上半桥和下半桥加控制信号，测试对应回路的通断情况。
4.1 HS 端 MOSFET 的双脉冲测试
具体连接如下图，
其中输入接在CN202的06端口，负载接在Vsw接口，在低频的信号下采用高电阻负载进行测试，运行正常。
4.2 LS 端 MOSFET 的双脉冲测试
具体连接如下图，
其中输入接在CN202的04端口，负载接在Vsw接口，因为这个过程中上半桥并不导通，因此需要把负载端的电源也加载下半桥上，同样连接在Vsw端口，在低频的信号下采用高电阻负载进行测试，运行正常。
5 小结
通过这个测试，评估板通过了试验，运行良好，一致性好，能够完全地实现这样的控制功能，在双脉冲和单脉冲都可以实现控制。
采用半桥评估板的好处是更好的灵活性，通过连接不同的负载电源和负载特性，并合适选择电容和电感，可以实现直流升降压和逆变功能。这样可以根据自己的项目需求，进行元件的优化。
另外一个好处是扩展性好，使用两个同样的评估板，可以连接成全桥的拓扑回路，实现更好的控制和性能。
因此，这个开发板非常适合原型开发，是高性能SiC电力电气器件专业试验和科研的利器。
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