一、二极管反向恢复过程
在图1所示二极管电路中，加入一个如图2所示的输入电压。即在0~t1时输入为+VF，二极管导通，电路中有电流。假设二极管正向压降为VD，当VF远大于VD时VD可忽略不计。
图1
图2
在t1后输入V1突变为-VR，在理想时，二极管立刻变为截至状态，电路中只有很小的反向漏电流。
但在实际中，二极管并不会立刻变为截止状态，而是先从正向的IF百年未很大的反向电流IR=VR/RL，这个反向电流会维持ts时间后才开始逐渐下降，在经过tt时间后，下降到很小的数值，此时二极管才处于反向截止状态，图3描述了该过程。将二极管从正向导通变为反向截止的时间称为反向恢复时间trr，ts称为存储时间，tt称为渡越时间。二极管的开关速度受到反向恢复时间的限制。
图3
二、解释
产生反向恢复过程是电荷存储效应导致的。外加正向电压时，加速了P区的多子（空穴）向N区扩散，N区的电子向P区扩散，不仅使得耗尽层变窄，而且使得载流子有相当数量的存储（在P区内存储了大量非平衡少子（电子），在N区内存储了空穴）。非平衡少子在靠近PN结边缘的地方浓度最高，离PN结越远，浓度越小。
电荷存储效应：正向导通时，非平衡少子积累的现象。
当输入电压突然由+VF变为-VR时， P区存储的电子和N区存储的空穴会通过以下两个途径逐渐减少：①在反向电场的作用下，P区电子被拉回N区，N区空穴被拉回P区，形成反向漂移电流；②与多子复合消失。
在这些非平衡少子消失之前，PN结仍处于正向偏置状态，耗尽层很窄，PN结的电阻仍然很小，与R相比可以忽略，所以此时反向电流为IR=(VR+VD)/RL。在这段时间，IR基本上不变，主要由VR和RL决定。经过ts时间后，P区和N区所存储的电荷已显著减小，耗尽层逐渐变宽，反向电流IR逐渐减小到正常反向饱和电流的数值，经过tt时间后，二极管转为截止状态。
由上可知，如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间短（频率过高），则二极管在正、反方向都可以导通，起不到开关的作用。
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