FDMS3669S 包括两个专用的N沟道MOSFET双PQFN封装。交换机节点已在内部连接以实现同步的轻松放置和路由降压转换器。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFETTM（Q2）设计用于提供最佳功率效率。
特性：：
Q1：N通道
   VGS=10 V，ID=13 A时，最大rDS（开）=10 mΩ
   VGS=4.5 V，ID=10 A时，最大rDS（开）=14.5 mΩ
Q2:N通道
  VGS=10 V，ID=18 A时，最大rDS（开）=5 mΩ
  VGS=4.5 V，ID=17 A时，最大rDS（开）=5.2 mΩ
1.低电感封装缩短了上升/下降时间，从而降低了开关损耗
2.MOSFET集成可实现优化布局，降低电路电感
   并减少开关节点振铃
3.符合RoHS
应用领域：

电信或计算系统
笔记本电脑
太阳能逆变器
新能源汽车

FDMS3669S详情.jpg
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