碳化硅MOS驱动设计原理图_工业电子与自动化-面包板社区

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碳化硅MOS驱动设计原理图

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Eways-SIC

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发表于 2024-3-1 10:04:47

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碳化硅MOS驱动设计：
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碳化硅MOS驱动设计原理图.pdf (4.24 MB, 下载次数: 0)

2024-3-1 10:02 上传

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SiC MOS驱动设计碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点，在电子器件领域有着广泛的应用。特别是在电力电子、高温电子、光伏逆变器和高频电子等领域，其性能优势能够提高器件的功率密度、效率和稳定性。

1.宽带隙：碳化硅具有较宽的能带隙，高温下能够有效阻止载流子的激发和导电，使其具有较低的导通电阻。因此，碳化硅MOS可以在高温环境下正常工作，有很好的高温性能。

2.高击穿电场强度：碳化硅具有较高的击穿电场强度，也就是说，相对于硅材料，碳化硅可以承受更高的电压，使得碳化硅MOS可以在高电场环境下工作，有较高的耐压能力。

3.高电流密度：碳化硅具有高电流密度，它的电流密度是硅的数倍，因此碳化硅MOS可以传导更高的电流，有效提高了器件的功率密度。

4.快速开关速度：由于碳化硅MOS具有高载流子迁移率和快速定态电流特性，所以具有较快的开关速度和响应时间，适用于高频率电源转换器等快速控制电路。

5.低导通电阻：与硅相比，碳化硅具有较低的导通电阻，减小了电流导通时的能量损耗和热量，有利于提高器件效率和降低温升。

6.抗辐射性能：碳化硅具有优异的辐射抗性，不易受到电磁辐射的干扰，因此在辐射环境下工作时具有较好的稳定性和可靠性。

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发表于2024-3-25 14:38:08

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本帖最后由 Eways-SIC 于 2024-6-26 09:16 编辑

碳化硅MOS电压650V~1200V~1700V~3300V更高至6500V，单管电流1A-200A（国产晶圆/SiC模块） - 知乎 https://zhuanlan.zhihu.com/p/697102981

碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点

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发表于2024-5-6 15:04:26

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SiC MOSFET国产的650v-1200v-1700v-3300v 新能源800V平台最佳功率器件

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发表于2024-5-18 09:07:58

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3300V的有

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发表于2024-5-31 09:37:30

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宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能

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发表于2024-6-26 09:17:13

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sic mos驱动+18v 负压3或5V

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发表于2024-7-26 14:44:07

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SiC MOSFET应用中出现的串扰问题，提出3种有效应用对策_电子技术基础-面包板社区 https://mbb.eet-china.com/forum.php?mod=viewthread&tid=129715&pid=156491&page=1&extra=page%3D1#pid156491

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发表于2024-8-9 15:57:31

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面包板社区:3300V碳化硅MOS业界国产领先的（SiC）功率器件 https://mbb.eet-china.com/forum/topic/142536_1_1.html

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发表于2024-9-26 08:57:12

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SiC MOS管的您需要可加V:15919711751

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发表于2024-10-8 11:12:41

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碳化硅MOS驱动设计原理图_工业电子与自动化-面包板社区 https://mbb.eet-china.com/forum/topic/140406_1_1.html

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发表于2024-11-18 16:33:50

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3300V碳化硅MOS业界国产领先的（SiC）功率器件_工业电子与自动化-面包板社区 https://mbb.eet-china.com/forum/topic/142536_1_1.html

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