碳化硅MOS驱动设计：
QQ图片20240301100053.png 碳化硅MOS驱动设计原理图.pdf (4.24 MB, 下载次数: 0)
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本帖最后由 Eways-SIC 于 2024-6-26 09:16 编辑

碳化硅MOS电压650V~1200V~1700V~3300V更高至6500V，单管电流1A-200A（国产晶圆/SiC模块） - 知乎  https://zhuanlan.zhihu.com/p/697102981


碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点
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SiC MOSFET国产的650v-1200v-1700v-3300v 新能源800V平台最佳功率器件
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3300V的  有
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宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能
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sic mos驱动+18v 负压3或5V
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SiC MOSFET应用中出现的串扰问题，提出3种有效应用对策_电子技术基础-面包板社区  https://mbb.eet-china.com/forum.php?mod=viewthread&tid=129715&pid=156491&page=1&extra=page%3D1#pid156491
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面包板社区:3300V碳化硅MOS业界国产领先的（SiC）功率器件  https://mbb.eet-china.com/forum/topic/142536_1_1.html
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SiC MOS管的 您需要可加V:15919711751
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碳化硅MOS驱动设计原理图_工业电子与自动化-面包板社区  https://mbb.eet-china.com/forum/topic/140406_1_1.html
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3300V碳化硅MOS业界国产领先的（SiC）功率器件_工业电子与自动化-面包板社区  https://mbb.eet-china.com/forum/topic/142536_1_1.html
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编辑帖子 - 3300V碳化硅MOS业界国产领先的（SiC）功率器件 -  https://mbb.eet-china.com/forum.php?mod=post&action=edit&fid=9&tid=142536&pid=153573&page=1
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